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有很多分类。例如按原理有蒸发、磁控溅射、离子镀膜、离子注入辅助沉积、气相沉积等。按镀膜产品可分为零件镀膜和辊涂。真空度也是一个区分标志，更加详细。专业化但总体上按原则划分。一般来说，如果工艺要求不高，如果想要便宜的话，通常会采用蒸发镀膜。如果想做更高级的东西，就得涉及到其他产品。

在真空中制备薄膜层包括电镀晶体金属、半导体、绝缘体和其他元素或化合物薄膜。虽然化学气相沉积也采用减压、低压或等离子等真空方法，但真空镀膜一般是指采用物理方法沉积薄膜。真空镀膜有蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀膜三种形式。真空镀膜技术最早出现于20世纪30年代，工业应用于20世纪40年代和1950年代开始出现。工业规模化生产始于20世纪80年代，已广泛应用于电子、航空航天、包装、装潢、烫金及印刷等行业。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积在材料（通常是非金属材料）表面。它是一种物理气相沉积过程。由于镀层往往是金属膜，所以也称为真空金属化。广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能薄膜。在所有被电镀的材料中，塑料是最常见的，其次是纸涂层。与金属、陶瓷、木材等材料相比，塑料具有来源丰富、性能易控制、加工方便等优点。因此，各种各样的塑料或其他高分子材料作为工程装饰结构材料广泛应用于汽车、家电、日用品等领域。包装、工艺装饰等工业领域。但大多数塑料材料都存在表面硬度低、外观不华丽、耐磨性低等缺点。例如，在塑料表面蒸发一层非常薄的金属膜可以使塑料具有明亮的金属外观。合适的金属源还可以大大增加材料表面的耐磨性，大大拓宽塑料的装饰性能和应用范围。真空镀膜的功能是多方面的，这也决定了它的应用场景非常丰富。一般来说，真空镀膜的主要作用包括赋予镀件表面较高的金属光泽和镜面效果，赋予膜层对薄膜材料优异的阻隔性能，提供优异的电磁屏蔽和导电效果。

所谓真空镀膜就是将被镀材料和被镀基板置于真空室内，采用一定的方法对被镀材料进行加热，使其蒸发或升华，然后溅射到被镀材料上的工艺过程。待镀基材表面凝结成膜。在真空条件下成膜，可以减少蒸发材料在飞向基板的过程中原子和分子的碰撞，减少气体中的活性分子与蒸发源材料之间的化学反应（如氧化等），并减少成膜过程。进入薄膜并成为杂质的气体分子的量，从而提供薄膜层的密度、纯度、沉积速率和对基材的附着力。一般真空蒸发要求成膜室内的压力等于或低于10-2Pa。对于蒸发源距离基板较远、膜层质量要求较高的场合，则要求压力较低。

所谓真空镀膜就是将被镀材料和被镀基板置于真空室内，采用一定的方法将被镀材料加热，使其蒸发或升华，然后溅射到镀层上的工艺过程。在待镀基材表面凝结成膜。 1、镀膜方法及分类在真空条件下成膜有很多优点：可以减少被蒸发材料在飞向基材的过程中原子和分子的碰撞，减少气体中的活性分子与蒸发物之间的化学反应。源材料。 （如氧化等），并减少成膜过程中进入薄膜并成为杂质的气体分子数量，从而提高膜层的密度、纯度、沉积速率以及对基材的附着力。一般真空蒸发要求成膜室内的压力等于或低于10-2Pa。对于蒸发源距离基板较远、膜层质量要求较高的场合，则要求压力较低。主要分为以下几类：蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀膜。蒸发镀膜：通过加热使某种物质蒸发，沉积在固体表面上的方法称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现已成为现代常用的镀膜技术之一。蒸发的物质如金属和化合物被放置在坩埚中或挂在热丝上作为蒸发源。将待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基材放置在坩埚前。将系统抽真空至高真空后，加热坩埚以蒸发内容物。被蒸发物质的原子或分子以凝结的方式沉积在基材表面。薄膜厚度范围可以从数百埃到几微米。膜厚取决于蒸发源的蒸发速率和时间（或取决于装载量），并与源与基板之间的距离有关。对于大面积涂层，常采用旋转基材或多个蒸发源来保证膜厚的均匀性。蒸发源到基板的距离应小于残余气体中蒸气分子的平均自由程，以避免蒸气分子与残余气体分子碰撞而产生化学相互作用。蒸气分子的平均动能约为0.1至0.2电子伏特。蒸发源分为三种类型。 电阻加热源：用钨、钽等难熔金属制成舟箔或丝状，通以电流加热其上方或置于坩埚内的被蒸发材料（图1【蒸发镀膜设备示意图】）电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。 高频感应加热源：利用高频感应电流加热坩埚，使物质蒸发。 电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000[618-1]）的物料，即用电子束轰击物料使其蒸发。与其他真空镀膜方法相比，蒸发镀膜具有较高的沉积速率，可以镀制不易热分解的单质和化合物薄膜。为了沉积高纯度单晶薄膜层，可以使用分子束外延。用于生长掺杂GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2所示[分子束外延装置示意图]。喷射炉安装

子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图]。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜最慢生长速度可控制在1单层/秒。通过控制挡板,可精确地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。2、溅射镀膜用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用的二极溅射设备如图3[ 二极溅射示意图]。nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp;nbsp;通常将欲沉积的材料制成板材──靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入 10～1帕的气体（e799bee5baa6e58685e5aeb931333337616564通常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体 (O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行。采用磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数量级。3、离子镀蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。这种技术是D.麦托克斯于1963年提出的。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。一种离子镀系统如图4[离子镀系统示意图],将基片台作为阴极，外壳作阳极，充入惰性气体（如氩）以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子（约占蒸发料的95%）也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速作用（离子能量约几百～几千电子伏）和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度大大提高。离子镀工艺综合了蒸发（高沉积速率）与溅射（良好的膜层附着力）工艺的特点，并有很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。